三星电子推进10nm级第七代1d DRAM量产，计划明年上半年引入设备

6 月 17 日，据 Citrini 研究员 Jukan 爆料，三星电子正推进 10nm 级第七代 1d DRAM 量产准备，计划明年上半年引入设备，最早明年年底启动初期量产，当前 1c DRAM 线宽约 11-12nm，而 1d 将进一步缩小至 10-11nm 以提升性能和能效。该工艺开发进展相对领先，但关键设备仍处于开发阶段，三星与合作伙伴积极开展良率和性能优化研发，计划年底前细化时间表。1d DRAM 将作为三星 AI 内存业务核心，尤其用于 2029 年预计商用的 HBM5E 高带宽内存核心芯片，支持其在 AI 芯片供应链中的竞争力。